收藏本站
New Product
SUD50N04-37P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
V GS = 10 thr u 5 V
4 V
5
4
3
T C = 25 °C
12
6
3 V
2
1
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.060
0.052
0.044
0.036
0.02 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 00
640
4 8 0
320
160
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.020
0
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69732
S-80109-Rev. B, 21-Jan-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD50N04-8M8P-4GE3 MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
SUD50N06-07L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N06-08H-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N06-09L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N10-18P-GE3 MOSFET N-CH 100V DPAK
SUD50N10-34P-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO252
SUD50NP04-77P-T4E3 MOSFET N/P-CH 40V TO252-4
SUD50P04-13L-E3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
相关代理商/技术参数
SUD50N04-8M8P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50N04-8M8P_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50N04-8m8P-4GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N04-8M8P-GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET
SUD50N06-07L 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
SUD50N06-07L_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET
SUD50N06-07L-E3 功能描述:MOSFET 60V 96A 136W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube